知名学者引用
除了所发表论文的被引用频次、期刊质量能够彰显学者的学术影响力以外，被知名学者引用也是一项学术评价的重要指标。 当前同舟云学术认定的知名学者包括：诺贝尔奖、菲尔兹奖、图灵奖等奖项获得者，多个国家的院士，同舟云学术“2023全球学者学术影响力排行版”入榜的前10万学者等。
Zhang, Xu 香港科技大学被知名学者引用：163人次（黄金会员以上可以申请导出本人论文被全部知名学者引用的数据）
1. Hiroshi,Amano 日本 Nagoya University 2014诺贝尔物理学奖;2016美国工程院院士 Recent advances in micro-pixel light emitting diode technology
2. Shuji,Nakamura 美国 University of California-Santa Barbara 2003美国工程院院士;2014诺贝尔物理学奖 The micro-LED roadmap: status quo and prospects
3. Shuji,Nakamura 美国 University of California-Santa Barbara 2003美国工程院院士;2014诺贝尔物理学奖 Demonstration of high efficiency cascaded blue and green micro-light-emitting diodes with independen..
4. Hiroshi,Amano 日本 Nagoya University 2014诺贝尔物理学奖;2016美国工程院院士 The 2018 GaN power electronics roadmap
5. Raj Reddy 美国 CARNEGIE MELLON UNIV 1994图灵奖;1984美国工程院院士 The 2018 GaN power electronics roadmap
6. 刘纪美 中国 香港科技大学 2024美国工程院院士 Fully-Vertical GaN-on-SiC Trench MOSFETs
7. 张荣 中国 厦门大学 2023中国科学院院士 Monolithic full-color micro-LED displays featuring three-dimensional chip bonding and quantum dot-ba..
8. 张荣 中国 厦门大学 2023中国科学院院士 0.58 mΩ;cm2/523 V GaN Vertical Schottky Barrier Diode With 15.6 kA/cm2; Surge..
9. 刘纪美 中国 香港科技大学 2024美国工程院院士 Fully Vertical GaN-on-SiC p-i-n Diodes With BFOM of 2.89 GW/cm2
10. 郝跃 中国 西安电子科技大学 教授 中国科学院院士 Effect of gamma irradiation on β-Ga2O3 vertical Schottky barrier diode
11. 刘纪美 中国 香港科技大学 2024美国工程院院士 Monolithic full-color active-matrix micro-LED micro-display using InGaN/AlGaInP heterogeneous integr..
12. 郝跃 中国 西安电子科技大学 教授 中国科学院院士 A Novel AlGaN/GaN-Based Schottky Barrier Diode With Partial P-GaN Cap Layer and Semicircular T-Anode..
13. 刘纪美 中国 香港科技大学 2024美国工程院院士 A Fully-Integrated Micro-Display System With Hybrid Voltage Regulator
14. 张荣 中国 厦门大学 2023中国科学院院士 Ag nanodot/Mg/Al reflective Ohmic contacts simultaneously suitable for n-type and p-type GaN
15. 张荣 中国 厦门大学 2023中国科学院院士 Gallium Nitride Blue/Green Micro-LEDs for High Brightness and Transparency Display
16. 刘纪美 中国 香港科技大学 2024美国工程院院士 Monolithically integrated high-resolution full-color GaN-on-Si micro-LED microdisplay
17. 张荣 中国 厦门大学 2023中国科学院院士 Improved Optical and Electrical Characteristics of GaN-Based Micro-LEDs by Optimized Sidewall Passiv..
18. 张荣 中国 厦门大学 2023中国科学院院士 Over 10 kA/cm2 inductive current sustaining capability demonstrated in GaN-on-GaN pn junction with h..
19. 郝跃 中国 西安电子科技大学 教授 中国科学院院士 930V and Low-Leakage Current GaN-on-Si Quasi-Vertical PiN Diode With Beveled-Sidewall Treated by Sel..
20. 刘纪美 中国 香港科技大学 2024美国工程院院士 Full-color micro-display by heterogeneous integration of InGaN blue/green dual-wavelength and AlGaIn..
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