知名学者引用


        除了所发表论文的被引用频次、期刊质量能够彰显学者的学术影响力以外,被知名学者引用也是一项学术评价的重要指标。
        当前全球学者库认定的知名学者包括:诺贝尔奖、菲尔兹奖、图灵奖等奖项获得者,多个国家的院士,全球学者库“2023全球学者学术影响力排行版”入榜的前10万学者等。

Liu, Xiao-Jie 南京大学被知名学者引用:83人次(黄金会员以上可以申请导出本人论文被全部知名学者引用的数据)

1. 马於光 中国 华南理工大学 2021中国科学院院士 pi-Conjugated Microporous Polymer Films: Designed Synthesis, Conducting Properties, and Photoenergy ..

2. Jagdish Narayan 美国 North Carolina State University 2017美国工程院院士 Modification of Properties of Yttria Stabilized Zirconia Epitaxial Thin Films by Excimer Laser Annea..

3. 屠海令 中国 北京有色金属研究总院 中国工程院院士 Formation of the dopant-oxygen vacancy complexes and its influence on the photoluminescence emission..

4. 黄如 中国 东南大学 中国科学院院士 surface pretreatment and passivation utilizing high concetrated hcl and nh4f solution for germanium-..

5. 李爱东 中国 南京大学 教授 Growth behavior of Ir metal formed by atomic layer deposition in the nanopores of anodic aluminum ox..

6. Won Jong,Yoo 韩国 Sungkyunkwan University Interface state density and barrier height improvement in ammonium sulfide treated Al2O3/Si interfac..

7. Junsin,Yi 韩国 Sungkyunkwan University Interface state density and barrier height improvement in ammonium sulfide treated Al2O3/Si interfac..

8. Moamen S,Refat 沙特阿拉伯 Taif University Structural, diffuse reflectance spectroscopy and dielectric relaxation properties of zirconium (IV) ..

9. Mahmoud .M,El-Nahass 埃及 Ain Shams University Structural, diffuse reflectance spectroscopy and dielectric relaxation properties of zirconium (IV) ..

10. Andreas,Tuennermann 德国 Friedrich Schiller University of Jena Influence of Substrate Materials on Nucleation and Properties of Iridium Thin Films Grown by ALD

11. 李爱东 中国 南京大学 教授 Effect of Gd and Si co-doping on the band alignment and electrical properties of HfO2 dielectric fil..

12. Schmal, Martin 巴西 University of SAO PAULO Hydrothermal Synthesis and Evaluation of the Cu2ZnSnS4 for Photovoltaic Applications

13. 章俊良 中国 上海交通大学 Thermal annealing synthesis of double-shell truncated octahedral Pt-Ni alloys for oxygen reduction r..

14. Jong-Ho,Lee 韩国 Seoul National University Tunneling oxide engineering for improving retention in nonvolatile charge-trapping memory with TaN/A..

15. Byung-Gook,Park 韩国 Seoul National University Tunneling oxide engineering for improving retention in nonvolatile charge-trapping memory with TaN/A..

16. Junsin,Yi 韩国 Sungkyunkwan University Influence of Ultra-Thin Ge3N4 Passivation Layer on Structural, Interfacial, and Electrical Propertie..

17. 何刚 中国 安徽大学 博导,教授 Interface chemistry and leakage current mechanism of HfGdON/Ge gate stack modulated by ALD-driven in..

18. Ghibaudo, Gerard 法国 IMEP LaHC Laboratory Improvement of the electrical performance of Au/Ti/HfO2/Ge0.9Sn0.1 p-MOS capacitors by using interfa..

19. Junsin,Yi 韩国 Sungkyunkwan University Effects of post-metallisation annealing on surface-interfacial and electrical properties of HfO2/Ge ..

20. Wuu, Dong-Sing 中国 台湾暨南国际大学 Surface/structural characteristics and band alignments of thin Ga2O3 films grown on sapphire by puls..

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