知名学者引用
除了所发表论文的被引用频次、期刊质量能够彰显学者的学术影响力以外，被知名学者引用也是一项学术评价的重要指标。 当前全球学者库认定的知名学者包括：诺贝尔奖、菲尔兹奖、图灵奖等奖项获得者，多个国家的院士，全球学者库“2023全球学者学术影响力排行版”入榜的前10万学者等。
Li, AD 南京大学被知名学者引用：333人次（黄金会员以上可以申请导出本人论文被全部知名学者引用的数据）
1. Mark,Hersam 美国 Northwestern University 2024美国工程院院士 Polymorphism in Post-Dichalcogenide Two-Dimensional Materials
2. 屠海令 中国 北京有色金属研究总院 中国工程院院士 Fabrication of Low Cost and Low Temperature Poly-Silicon Nanowire Sensor Arrays for Monolithic Three..
3. 郝跃 中国 西安电子科技大学 中国科学院院士 Improving metal/n-Ge ohmic contact by inserting TiO2 deposited by PEALD
4. 黄如 中国 东南大学 中国科学院院士 Ge surface passivation by GeO2 fabricated by N2O plasma oxidation
5. 黄如 中国 东南大学 中国科学院院士 Fabricating GeO2 passivation layer by N2O plasma oxidation for Ge NMOSFETs application
6. 屠海令 中国 北京有色金属研究总院 中国工程院院士 Epitaxial growth and electrical properties of ultrathin La2Hf2O7 high-k gate dielectric films
7. 周玉 中国 哈尔滨工业大学 中国工程院院士 First-principles study of spontaneous polarization in SrBi2Ta2O9
8. 马佐平 美国 耶鲁大学 2003美国工程院院士;2008中国科学院外籍院士 Electrical properties and interfacial structure of epitaxial LaAlO(3) on Si[001]
9. 闵乃本 中国 南京大学 中国科学院院士 Challenges in Atomic-Scale Characterization of High-k Dielectrics and Metal Gate Electrodes for Adva..
10. 赫晓东 中国 哈尔滨工业大学 2023中国工程院院士 Reduction of crystallization temperature of the Aurivillius phase in Nd-doped SrBi2Ta2O9 thin films ..
11. Gordon, Roy G. 美国 Harvard University 1975美国科学院院士 In Situ Infrared Characterization during Atomic Layer Deposition of Lanthanum Oxide
12. 王曦 中国 中国科学院 中国科学院院士 Influence of preparing process on total-dose radiation response of high-k Hf-based gate dielectrics
13. 姚熹 中国 西安交通大学 中国科学院院士 Effects of LaNiO3 buffer layers on preferential orientation growth and properties of PbTiO3 thin fil..
14. 闵乃本 中国 南京大学 中国科学院院士 Transmission electron microscopy observations on the interfacial structures of the Pt/SrBi2Ta2O9/Pt ..
15. 闵乃本 中国 南京大学 中国科学院院士 Ferroelectric properties of bilayer structured Pb(Zr0.52Ti0.48) O-3/SrBi2Ta2O9 (PZT/SBT) thin films ..
16. Schlom ,Darrell G. 美国 Cornell University 2017美国工程院院士 Growth and Characterization of Alternative Gate Dielectrics by Molecular-Beam Epitaxy
17. Schlom ,Darrell G. 美国 Cornell University 2017美国工程院院士 Paramagnetic point defects in (100)Si/LaAlO3 structures: Nature and stability of the interface
18. 王曦 中国 中国科学院 中国科学院院士 Influence of nitrogen element on total-dose radiation response of high-k Hf-based dielectric films
19. 闵乃本 中国 南京大学 中国科学院院士 Preparation and characterization of poled nanocrystals and polymer composite SrBi2Ta2O9/PC films
20. 姚熹 中国 西安交通大学 中国科学院院士 Preparation and properties of highly oriented LaNiO3 thin films on different substrates
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