1. Hiroshi,Amano 日本 Nagoya University 2014诺贝尔物理学奖;2016美国工程院院士 Monolithic GaN optoelectronic system on a Si substrate
2. Hiroshi,Amano 日本 Nagoya University 2014诺贝尔物理学奖;2016美国工程院院士 Mechanism and enhancement of anti-parasitic-reaction catalytic activity of tungsten-carbide-coated g..
3. Hiroshi,Amano 日本 Nagoya University 2014诺贝尔物理学奖;2016美国工程院院士 Uniting a III-Nitride Transmitter, Waveguide, Modulator, and Receiver on a Single Chip
4. Hiroshi,Amano 日本 Nagoya University 2014诺贝尔物理学奖;2016美国工程院院士 Impact of gate electrode formation process on Al2O3/GaN interface properties a..
5. Hiroshi,Amano 日本 Nagoya University 2014诺贝尔物理学奖;2016美国工程院院士 Micro-Light Emitting Diode: From Chips to Applications
6. Hiroshi,Amano 日本 Nagoya University 2014诺贝尔物理学奖;2016美国工程院院士 Low interface state densities at Al2O3/GaN interfaces formed on vicinal polar ..
7. Hiroshi,Amano 日本 Nagoya University 2014诺贝尔物理学奖;2016美国工程院院士 Tungsten carbide layers deposited on graphite substrates via a wet powder process as anti-par..
8. Hiroshi,Amano 日本 Nagoya University 2014诺贝尔物理学奖;2016美国工程院院士 GaN drift-layer thickness effects in vertical Schottky barrier diodes on free-standing HVPE GaN subs..
9. Hiroshi,Amano 日本 Nagoya University 2014诺贝尔物理学奖;2016美国工程院院士 The 2018 GaN power electronics roadmap
10. Raj Reddy 美国 CARNEGIE MELLON UNIV 1994图灵奖;1984美国工程院院士 The 2018 GaN power electronics roadmap
11. 郝跃 中国 西安电子科技大学 教授 中国科学院院士 Interface modification-induced high-performance vertical NiOx/β-Ga2O3 heterojunction diodes via O2 ..
12. 郝跃 中国 西安电子科技大学 教授 中国科学院院士 1.96 kV p-Cr2O3/β-Ga2O3 heterojunction diodes with an ideality factor of 1.07
13. 欧阳晓平 中国 西北核技术研究所 中国工程院院士 Performance Degradation of Ga2O3-Based X-Ray Detector Under Gamma-Ray Irradiation
14. 郝跃 中国 西安电子科技大学 教授 中国科学院院士 Unveiling the orientation growth mechanism and solar-blind response performance of ,β-Ga
15. 郝跃 中国 西安电子科技大学 教授 中国科学院院士 Enhancement of positive bevel /3-Ga2O3 trench MOS barrier Schottky diode by post-etching treatment
16. 郝跃 中国 西安电子科技大学 教授 中国科学院院士 Investigation for the Temperature Dependence of 2D Electron Gas Behaviors in GaN-based Multichannel ..
17. 郝跃 中国 西安电子科技大学 教授 中国科学院院士 MIS p-GaN Tunneling Gate HEMTs on 6-In Si: A Novel Approach to Enhance Gate Reliability
18. 郝跃 中国 西安电子科技大学 教授 中国科学院院士 High-Performance MIM/p-GaN Gate HEMTs With a 3-nm Insulator for Power Conversion
19. 张荣 中国 厦门大学 2023中国科学院院士 Enhanced AlGaN/GaN ultraviolet phototransistor: Achieving single-pixel imaging and communication
20. 郝跃 中国 西安电子科技大学 教授 中国科学院院士 An AlN/AlxGa1-xN/GaN graded channel HEMT with enhanced power and linearity performance