1. G. Tsutsui ,
R. Bao ,
K. Lim ,
R. R. Robison ,
R. A. Vega ,
J. Yang ,
Z. Liu ,
M. Wang ,
O. Gluschenkov ,
C. W. Yeung ,
K. Watanabe ,
S. Bentley ,
H. Niimi ,
D. Liu ,
H. Zhou ,
S. Siddiqui ,
H. Kim ,
R. Galatage ,
R. Venigalla ,
M. Raymond ,
P. Adusumilli ,
S. Mochizuki ,
T. S. Devarajan ,
B. Miao ,
B. Liu ,
A. Greene ,
J. Shearer ,
P. Montanini ,
J. W. Strane ,
C. Prindle ,
E. R. Miller ,
J. Fronheiser ,
C. C. Niu ,
K. Chung ,
J. J. Kelly ,
H. Jagannathan ,
S. Kanakasabapathy ,
G. Karve ,
F. L. Lie ,
P. Oldiges ,
V. Narayanan ,
T. B. Hook ,
A. Knorr ,
D. Gupta ,
D. Guo ,
R. Divakaruni ,
H. Bu , and
M. Khare , in International Electron Devices Meeting (IEDM), Technical Digest (2016), pp. 365–368.
2. Oxidation studies of SiGe
3. Silicon interstitial injection during dry oxidation of SiGe∕Si layers
4. Wet oxidation of GeSi strained layers by rapid thermal processing
5. Oxidation kinetics of Si and SiGe by dry rapid thermal oxidation, in-situ steam generation oxidation and dry furnace oxidation