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Mobility of the Two-Dimensional Electron Gas in DA-pHEMT Heterostructures with Various δ–n-Layer Profile Widths

  • Published:2018-01 Issue:1 Volume:52 Page:44-52
  • ISSN:1063-7826
  • Container-title:Semiconductors
  • language:en
  • Short-container-title:Semiconductors

Author:

Protasov D. Yu.,Bakarov A. K.,Toropov A. I.,Ber B. Ya.,Kazantsev D. Yu.,Zhuravlev K. S.

Publisher

Pleiades Publishing Ltd

Subject

Condensed Matter Physics,Atomic and Molecular Physics, and Optics,Electronic, Optical and Magnetic Materials

Cited by 3 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Optimization of heterostructure design for switching pHEMT transistors;Materials Science in Semiconductor Processing;2023-01

2. New Type of Heterostructures for Powerful pHEMT Transistors;Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing;2020-09

3. New GaN based HEMT with Si 3 N 4 or un-doped region in the barrier for high power applications;Superlattices and Microstructures;2018-06
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