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Optimization of heterostructure design for switching pHEMT transistors

  • Published:2023-01 Issue: Volume:153 Page:107148
  • ISSN:1369-8001
  • Container-title:Materials Science in Semiconductor Processing
  • language:en
  • Short-container-title:Materials Science in Semiconductor Processing

Author:

Protasov D. Yu,Dmitriev D.V.,Zhuravlev K.S.,Ayzenshtat G.I.,Yushchenko A.Y.,Pashkovsky A.B.

Publisher

Elsevier BV

Subject

Mechanical Engineering,Mechanics of Materials,Condensed Matter Physics,General Materials Science

Cited by 2 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. The Electrochemical Profiling of n+/n GaAs Structures for Field-Effect Transistors;Semiconductors;2024-03

2. Investigation of the Influence of Heterostructure on the Parameters of Microwave Transistors;2023 IEEE XVI International Scientific and Technical Conference Actual Problems of Electronic Instrument Engineering (APEIE);2023-11-10
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