Post-annealing effects on device performance of AlGaN/GaN HFETs

Author:

Lee Jaesun,Liu Dongmin,Kim Hyeongnam,Lu Wu

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Electrical and Electronic Engineering,Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials

Reference8 articles.

1. High Al-content AlGaN/GaN HEMTs on SiC substrates with very-high performance;Wu;IEDM Tech. Dig,1999

2. High power microwave GaN/AlGaN HEMTs on silicon carbide;Sheppard;IEEE Electron. Dev. Lett,1999

3. High performance microwave power GaN/AlGaN MODFETs grown by RF-assisted MBE;Nguyen;Electron. Lett,2000

4. Recessed 0.25 μm gate AlGaN/GaN HEMTs on SiC with high gate–drain breakdown voltage using ICP-RIE;Kumar;Electron. Lett,2001

5. High breakdown GaN HEMT with overlapping gate structure;Zhang;IEEE Electron. Dev. Lett,2000

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