Scanning probe microscopy characterisation of masked low energy implanted nanometer structures

Author:

Winzell Thomas,Anand Srinivasan,Maximov Ivan,Sarwe Eva-Lena,Graczyk Mariusz,Montelius Lars,Whitlow Harry J

Publisher

Elsevier BV

Subject

Instrumentation,Nuclear and High Energy Physics

Reference27 articles.

1. Analysis of ultrashallow doping profiles obtained by low energy ion implantation

2. Si ultrashallowp+njunctions using low‐energy boron implantation

3. Experimental observations and modeling of ultra-shallow BF2 and As implants in single-crystal silicon

4. R. Simonton, A.F. Tasch, in: J.F. Ziegler (Ed.), Handbook of Ion Implantation Technology, North-Holland, New York, 1992, p. 119

5. Ion Implantation: Basics to Device Fabrication;Rimini,1995

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