Comparing bulk-Si FinFET and gate-all-around FETs for the 5 ​nm technology node

Author:

Vashishtha VinayORCID,Clark Lawrence T.ORCID

Publisher

Elsevier BV

Subject

General Engineering

Reference45 articles.

1. 22-nm fully-depleted tri-gate CMOS transistors;Auth,2012

2. Si FinFET based 10nm technology with multi Vt gate stack for low power and high performance applications;Cho,2016

3. A 14nm logic technology featuring 2nd-generation FinFET, air-gapped interconnects, self-aligned double patterning and a 0.0588 μm2 SRAM cell size;Natarajan,2014

4. Ultrafast all-optical switching;Chai;Adv. Opt. Mater.,2017

5. A 7nm FinFET technology featuring EUV patterning and dual strained high mobility channels;Xie,2016

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