Back-gate bias effect on the linearity of pocket doped FDSOI MOSFET

Author:

Shaik Rameez Raja,Chandrasekar L.ORCID,Raskin Jean-PierreORCID,Pradhan K.P.ORCID

Funder

Science and Engineering Research Board

Publisher

Elsevier BV

Subject

General Engineering

Reference39 articles.

1. A 28ghz self-contained power amplifier for 5 g applications in 28 nm fd-soi cmos;Moret,2017

2. Substrate crosstalk reduction using soi technology;Raskin;IEEE Trans. Electron Devices,1997

3. Robust, efficient distributed power amplifier achieving 96 gbit/s with 10 dbm average output power and 3.7 fd-soi;Çelik;IEEE J. Solid-State Circuits,2021

4. Design of e-and w-band low-noise amplifiers in 22-nm cmos fd-soi;Gao;IEEE Trans. Microw. Theory Tech.,2019

5. High-performance rf switch in 0.13μm rf soi process;Guan;J. Semiconductors,2019

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