FinFET: A Beginning of Non-planar Transistor Era

Author:

Kajal ,Sharma Vijay Kumar

Publisher

Springer Singapore

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1. Exploration and analysis of n-FinFET implementing stacked high-K at 08 nm gate length;Sādhanā;2023-12-22

2. Design and Performance Analysis of 3-Fin 08 nm Physical Gate Length SOI FinFETs Employing Gate Stacked High-K Dielectrics;2023 IEEE 3rd International Conference on Applied Electromagnetics, Signal Processing, & Communication (AESPC);2023-11-24

3. Effects of Dimensional Variations on Short Channel Parameters in 14 nm Channel Length TG–SOI FinFETs;Advances in Communication, Devices and Networking;2022-08-30

4. Design and Simulation for NBTI Aware Logic Gates;Wireless Personal Communications;2021-04-30

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