1 Fully Vertical GaN p-i-n Diodes Using GaN-on-Si Epilayers
来源：IEEE ELECTR DEVICE L( P 0741-3106 E 1558-0563 ) 发表时间: 2016/05
类型：期刊论文 为本人加分：2978.072977
2 Fully- and Quasi-Vertical GaN-on-Si p-i-n Diodes: High Performance and Comprehensive Comparison
来源：IEEE T ELECTRON DEV( P 0018-9383 E 1557-9646 ) 发表时间: 2017/03
类型：期刊论文 为本人加分：2833.466111
3 High-Performance Green and Yellow LEDs Grown on SiO2 Nanorod Patterned GaN/Si Templates
来源：IEEE ELECTR DEVICE L( P 0741-3106 E 1558-0563 ) 发表时间: 2013/07
类型：期刊论文 为本人加分：2213.859798
4 Electrical characterization of GaN Schottky barrier diode at cryogenic temperatures
来源：APPL PHYS LETT( P 0003-6951 E 1077-3118 ) 发表时间: 2020/02
类型：期刊论文 为本人加分：1823.090740
5 A review on GaN-based two-terminal devices grown on Si substrates
来源：J ALLOY COMPD( P 0925-8388 E 1873-4669 ) 发表时间: 2021/07
类型：期刊论文 为本人加分：1745.930345
6 Study of minority carrier traps in p-GaN gate HEMT by optical deep level transient spectroscopy
来源：APPL PHYS LETT( P 0003-6951 E 1077-3118 ) 发表时间: 2022/05
类型：期刊论文 为本人加分：1330.016185
7 Breakdown Ruggedness of Quasi-Vertical GaN-Based p-i-n Diodes on Si Substrates
来源：IEEE ELECTR DEVICE L( P 0741-3106 E 1558-0563 ) 发表时间: 2016/09
类型：期刊论文 为本人加分：1203.272977
8 Vertical LEDs on Rigid and Flexible Substrates Using GaN-on-Si Epilayers and Au-Free Bonding
来源：IEEE T ELECTRON DEV( P 0018-9383 E 1557-9646 ) 发表时间: 2016/04
类型：期刊论文 为本人加分：901.171914
9 Temperature-Dependent Dynamic Degradation of Carbon-Doped GaN HEMTs
来源：IEEE T ELECTRON DEV( P 0018-9383 E 1557-9646 ) 发表时间: 2021/07
类型：期刊论文 为本人加分：864.760928
10 Voltage-Controlled GaN HEMT-LED Devices as Fast-Switching and Dimmable Light Emitters
来源：IEEE ELECTR DEVICE L( P 0741-3106 E 1558-0563 ) 发表时间: 2018/02
类型：期刊论文 为本人加分：808.331679