知名学者引用
除了所发表论文的被引用频次、期刊质量能够彰显学者的学术影响力以外，被知名学者引用也是一项学术评价的重要指标。 当前全球学者库认定的知名学者包括：诺贝尔奖、菲尔兹奖、图灵奖等奖项获得者，多个国家的院士，全球学者库“2023全球学者学术影响力排行版”入榜的前10万学者等。
Zhang, Lijie 北京大学被知名学者引用：212人次（黄金会员以上可以申请导出本人论文被全部知名学者引用的数据）
1. Sze, Simon M. 中国 台湾国立交通大学 1995美国工程院院士 Radiation hardness of InWZno thin film as resistive switching layer
2. 黄如 中国 东南大学 中国科学院院士 In-memory computing with emerging nonvolatile memory devices
3. 刘益春 中国 东北师范大学 2021中国科学院院士 Neutron irradiation-induced effects on the reliability performance of electrochemical metallization ..
4. 邹世昌 中国 中国科学院上海冶金研究所 中国科学院院士 Electrical performance of 130 nm PD-SOI MOSFET with diamond layout
5. 黄如 中国 东南大学 中国科学院院士 The impact of heavy ion irradiation on the performance of novel REDI LDMOS power devices
6. 邓龙江 中国 电子科技大学 2021中国工程院院士 gamma-Ray Radiation Effects on an HfO2-Based Resistive Memory Device
7. 黄如 中国 东南大学 中国科学院院士 Light-Tunable Nonvolatile Memory Characteristics in Photochromic RRAM
8. 黄维 中国 西北工业大学 2023美国工程院院士;中国科学院院士 Light-Tunable Nonvolatile Memory Characteristics in Photochromic RRAM
9. 黄如 中国 东南大学 中国科学院院士 Modulation of nonlinear resistive switching behavior of a TaOx-based resistive device through interf..
10. 王阳元 中国 北京大学 中国科学院院士 Modulation of nonlinear resistive switching behavior of a TaOx-based resistive device through interf..
11. 黄如 中国 东南大学 中国科学院院士 A flexible organic resistance memory device for wearable biomedical applications
12. 黄如 中国 东南大学 中国科学院院士 Self-selection effects and modulation of TaOx resistive switching random access memory with bottom e..
13. 黄如 中国 东南大学 中国科学院院士 Encapsulation layer design and scalability in encapsulated vertical 3D RRAM
14. 黄如 中国 东南大学 中国科学院院士 Novel Vertical 3D Structure of TaOx-based RRAM with Self-localized Switching Region by Sidewall Elec..
15. 黄维 中国 西北工业大学 2023美国工程院院士;中国科学院院士 Ferrocene-containing poly(fluorenylethynylene)s for nonvolatile resistive memory devices
16. 王阳元 中国 北京大学 中国科学院院士 Engineering incremental resistive switching in TaOx based memristors for brain-inspired computing
17. 黄如 中国 东南大学 中国科学院院士 Engineering incremental resistive switching in TaOx based memristors for brain-inspired computing
18. 邓龙江 中国 电子科技大学 2021中国工程院院士 An HfO2-based resistive switching memory device with good anti-radiation capability
19. 刘明 中国 中国科学院 中国科学院院士 An overview of the switching parameter variation of RRAM
20. 冯端 中国 南京大学 中国科学院院士 Dependence of annealing temperatures on the optimized resistive switching behavior from SiOx (x=1.3)..
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