知名学者引用
除了所发表论文的被引用频次、期刊质量能够彰显学者的学术影响力以外，被知名学者引用也是一项学术评价的重要指标。 当前全球学者库认定的知名学者包括：诺贝尔奖、菲尔兹奖、图灵奖等奖项获得者，多个国家的院士，全球学者库“2023全球学者学术影响力排行版”入榜的前10万学者等。
Qin, Shiqiang 北京大学被知名学者引用：69人次（黄金会员以上可以申请导出本人论文被全部知名学者引用的数据）
1. 刘明 中国 中国科学院 中国科学院院士 An overview of the switching parameter variation of RRAM
2. 冯端 中国 南京大学 中国科学院院士 Dependence of annealing temperatures on the optimized resistive switching behavior from SiOx (x=1.3)..
3. 黄如 中国 东南大学 中国科学院院士 Resistive-Gate Field-Effect Transistor: A Novel Steep-Slope Device Based on a Metal-Insulator-Metal-..
4. 王阳元 中国 北京大学 中国科学院院士 Resistive-Gate Field-Effect Transistor: A Novel Steep-Slope Device Based on a Metal-Insulator-Metal-..
5. 黄如 中国 东南大学 中国科学院院士 Investigation on the Response of TaOx-based Resistive Random-Access Memories to Heavy-Ion Irradiatio..
6. 王阳元 中国 北京大学 中国科学院院士 Investigation on the Response of TaOx-based Resistive Random-Access Memories to Heavy-Ion Irradiatio..
7. Sze, Simon M. 中国 台湾国立交通大学 1995美国工程院院士 Characteristics and Mechanisms of Silicon-Oxide-Based Resistance Random Access Memory
8. 黄如 中国 东南大学 中国科学院院士 A Novel Programming Method for Multilevel RRAM Based on Pulse Width Modulation
9. 冯端 中国 南京大学 中国科学院院士 Direct observation of resistive switching memories behavior from nc-Si embedded in SiO2 at room temp..
10. 黄如 中国 东南大学 中国科学院院士 Material Engineering Technique for SiOX-based embedded RRAM with CMOS Compatible Process
11. 王阳元 中国 北京大学 中国科学院院士 Material Engineering Technique for SiOX-based embedded RRAM with CMOS Compatible Process
12. 黄如 中国 东南大学 中国科学院院士 A MIM Device Featuring both RRAM and Diode Behavior
13. 黄如 中国 东南大学 中国科学院院士 Total Ionizing Dose (TID) Effects on TaOx-Based Resistance Change Memory
14. 王阳元 中国 北京大学 中国科学院院士 Total Ionizing Dose (TID) Effects on TaOx-Based Resistance Change Memory
15. 黄如 中国 东南大学 中国科学院院士 Experimental investigation of the reliability issue of RRAM based on high resistance state conductio..
16. 黄如 中国 东南大学 中国科学院院士 A MIM diode with ultra abrupt switching process and high on/off current ratio
17. Yeonwoong,Jung 美国 University of Central Florida Graphene/MoS2/SiOx memristive synapses for linear weight update
18. K. Y,Rajpure 印度 Shivaji University Binary metal oxide-based resistive switching memory devices: A status review
19. Hyung-Ho,Park 韩国 Yonsei University Filamentary and Interface-Type Memristors Based on Tantalum Oxide for Energy-Efficient Neuromorphic ..
20. 王丹 中国 中国科学院 Room-Temperature, Solution-Processed SiOx via Photochemistry Approach for Highly Flexible Resistive ..
1.学者识别学者识别
2.学术分析学术分析
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