Soft Error Reliability of SRAM cells during the three operation states
Author:
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9088113/9093665/09093684.pdf?arnumber=9093684
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1. A Detailed Electrical Analysis of SEE on 28 nm FDSOI SRAM Architectures;2023 36th SBC/SBMicro/IEEE/ACM Symposium on Integrated Circuits and Systems Design (SBCCI);2023-08-28
2. Hysteresis in As-Synthesized MoS2 Transistors: Origin and Sensing Perspectives;Micromachines;2021-05-31
3. Soft Errors Sensitivity of SRAM Cells in Hold, Write, Read and Half-Selected Conditions;Journal of Electronic Testing;2021-04
4. Soft Error Sensibility Window at FinFET DICE SRAM;2021 IEEE 12th Latin America Symposium on Circuits and System (LASCAS);2021-02-21
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