Investigation of CMOS Single Process Steps on 4H-SiC a-Plane Wafers for Quantum Applications
Author:
Affiliation:
1. Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg,Erlangen,Germany
2. Fraunhofer Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB,Erlangen,Germany
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/10569139/10569147/10569589.pdf?arnumber=10569589
Reference25 articles.
1. High-fidelity spin and optical control of single silicon-vacancy centres in silicon carbide
2. Electrical and optical control of single spins integrated in scalable semiconductor devices
3. Electrical detection of TV2a-type silicon vacancy spin defect in 4H-SiC MOSFETs
4. Optically Detected Magnetic Resonance Study of 3D Arrayed Silicon Vacancies in SiC pn Diodes
5. Stark Tuning of the Silicon Vacancy in Silicon Carbide
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