Elimination of Pinhole Defects in Self-Aligned Double Patterning Process by using Bias Pulsed Plasma
Author:
Affiliation:
1. Micron Memory Taiwan Co., Ltd.,Taichung City,Taiwan,421415
2. Micron Technology Inc.,Manassas,VA,USA,20110
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/10545359/10545360/10545459.pdf?arnumber=10545459
Reference6 articles.
1. Self-aligned double and quadruple patterning layout principle
2. Microscopic uniformity in plasma etching
3. Pulsed plasma etching for semiconductor manufacturing
4. Pulsed high-density plasmas for advanced dry etching processes
5. Asynchronously Pulsed Plasma for High Aspect Ratio Nanoscale Si Trench Etch Process
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