1. Mistry K. Allen C. Auth C. Beattie B. Bergstrom D. Bost M. Brazier M. Buehler M. Cappellani A. Chau R. Choi C.-H. Ding G. Fischer K. Ghani T. Grover R. Han W. Hanken D. Hattendorf M. He J. Hicks J. Huessner R. Ingerly D. Jain P. James R. Jong L. Joshi S. Kenyon C. Kuhn K. Lee K. Liu H. Maiz J. McIntyre B. Moon P. Neirynck J. Pae S. Parker C. Parsons D. Prasad C. Pipes L. Prince M. Ranade P. Reynolds T. Sandford J. Shifren L. Sebastian J. Seiple J. Simon D. Sivakumar S. Smith P. Thomas C. Troeger T. Vandervoorn P. Williams S. Zawadzki K. , in IEDM Tech. Dig., The IEEE (New York), 274 (2007).
2. Song S. C. Zhang Z. B. Hussain M. M. Huffman C. Barnett J. Bae S. H. Li H. J. Majhi P. Park C. S. Ju B. S. Park H. K. Kang C. Y. Choi R. Zeitzoff P. Tseng H. H. Lee B. H. Jammy R. , in VLSI Symp. Tech. Dig., 13 (2006).
3. Effects of $\hbox{Al}_{2}\hbox{O}_{3}$ Dielectric Cap and Nitridation on Device Performance, Scalability, and Reliability for Advanced High- $\kappa$/Metal Gate pMOSFET Applications
4. Metal gate work function engineering using AlNx interfacial layers
5. Work function engineering using lanthanum oxide interfacial layers