1. Jan C. H. Bhattacharya U. Brain R. Choi S. J. Curello G. Gupta G. Hafez W. Jang M. Kang M. Komeyli K. Leo T. Nidhi N. Pan L. Park J. Phoa K. Rahman A. Staus C. Tashiro H. Tsai C. Vandervoorn P. Yang L. Yeh J. Y. Bai P. , presented at the IEEE International Electron Devices Meeting, 2012, p. 3.1.1.
2. A 90-nm Logic Technology Featuring Strained-Silicon
3. Mistry K. Allen C. Auth C. Beattie B. Bergstrom D. Bost M. Brazier M. Buehler M. Cappellani A. Chau R. Choi C. H. Ding G. Fischer K. Ghani T. Grover R. Han W. Hanken D. Hattendorf M. He J. Hicks J. Huessner R. Ingerly D. Jain P. James R. Jong L. Joshi S. Kenyon C. Kuhn K. Lee K. Liu H. Maiz J. McIntyre B. Moon P. Neirynck J. Pae S. Parker C. Parsons D. Prasad C. Pipes L. Prince M. Ranade P. Reynolds T. Sandford J. Shifren L. Sebastian J. Seiple J. Simon D. Sivakumar S. Smith P. Thomas C. Troeger T. Vandervoorn P. Williams S. Zawadzki K. , presented at the IEEE International Electron Devices Meeting, 2007, p. 247.
4. Atomic Layer Deposition: An Overview
5. Surface chemistry of atomic layer deposition: A case study for the trimethylaluminum/water process