Vertical power devices enabled by bulk GaN substrates
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SPIE
Reference14 articles.
1. 1.8 mΩ·cm2vertical GaN-based trench metal–oxide–semiconductor field-effect transistors on a free-standing GaN substrate for 1.2-kV-class operation
2. 880 V/ $2.7~\text{m}\Omega\cdot\text{cm}^{\text{2}}$ MIS Gate Trench CAVET on Bulk GaN Substrates
3. High voltage, high current GaN-on-GaN p-n diodes with partially compensated edge termination
4. Improved Vertical GaN Schottky Diodes with Ion Implanted Junction Termination Extension
5. High pressure fabrication and processing of GaN:Mg
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