Optical anisotropy of (11 2¯3) semipolar InGaN quantum wells homoepitaxially grown on GaN substrates

Author:

Funato Mitsuru1ORCID,Matsuda Yoshinobu1ORCID,Mori-Tamamura Keito2,Yamaguchi Atsushi A.2ORCID,Goto Hiroki3,Sumida Yasunobu3,Ishihara Yujiro3,Kawakami Yoichi1ORCID

Affiliation:

1. Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan

2. Department of Electrical and Electronic Engineering, Kanazawa Institute of Technology, Nonoichi, Ishikawa 921-8501, Japan

3. Technology Division, Furukawa Co., Ltd., Oyama, Tochigi 323-8601, Japan

Funder

Japan Society for the Promotion of Science

Publisher

AIP Publishing

Subject

General Physics and Astronomy

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