Mg-implanted bevel edge termination structure for GaN power device applications

Author:

Matys Maciej1ORCID,Ishida Takashi1,Nam Kyung Pil1,Sakurai Hideki12,Narita Tetsuo3ORCID,Uesugi Tsutomu1,Bockowski Michal14ORCID,Suda Jun1ORCID,Kachi Tetsu1ORCID

Affiliation:

1. Nagoya University, Nagoya 464-8601, Japan

2. ATI, ULVAC, Inc., Chigasaki, Kanagawa 253-8543, Japan

3. Toyota Central R&D Labs., Inc., Nagakute, Aichi 480-1192, Japan

4. Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland

Funder

Mext "Research and Development of Next-Generation Semiconductor to Realize Energy Saving Society"

Polish National Science Centre

Publisher

AIP Publishing

Subject

Physics and Astronomy (miscellaneous)

同舟云学术

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