Ultraviolet Raman study of A1(LO) and E2 phonons in InxGa1−xN alloys

Author:

Alexson Dimitri,Bergman Leah,Nemanich Robert J.,Dutta Mitra,Stroscio Michael A.,Parker C. A.,Bedair S. M.,El-Masry N. A.,Adar Fran

Publisher

AIP Publishing

Subject

General Physics and Astronomy

Reference15 articles.

1. Group III nitride semiconductors for short wavelength light-emitting devices

2. Solid phase immiscibility in GaInN

3. Coupling of GaN- and AlN-like longitudinal optic phonons in Ga1−xAlxN solid solutions

4. Raman study of the optical phonons in AlxGa1−xN alloys

5. E. L. Piner, N. A. El-Masry, S. X. Liu, and S. M. Bedair, in Nitride Semiconductors, edited by F. A. Ponce, S. P. DenBaars, B. K. Meyer, S. Nakamura, and S. Strite, MRS Symposia Proceedings MRSPDHNo. 482 (1998), p. 125.MRSPDH0272-9172

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