cw room‐temperature InxGa1−xAs/InyGa1−yP 1.06‐μm lasers

Author:

Nuese C. J.,Olsen G. H.,Ettenberg M.,Gannon J. J.,Zamerowski T. J.

Publisher

AIP Publishing

Subject

Physics and Astronomy (miscellaneous)

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2. Recent Advances in Semiconductor Laser Technology;Applied Photonics;1994

3. High power continuous operation of laser diodes at 1064 nm;Electronics Letters;1991

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5. InGaAs/InAsP lasers with output wavelengths of 1.58–2.45 μm;Applied Physics Letters;1989-01-16

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