Experimental study of the series resistance effect and its impact on the compact modeling of the conduction characteristics of HfO2-based resistive switching memories-Reference-Cited by-同舟云学术

Experimental study of the series resistance effect and its impact on the compact modeling of the conduction characteristics of HfO2-based resistive switching memories

Published:2021-08-07 Issue:5 Volume:130 Page:054503
ISSN:0021-8979
Container-title:Journal of Applied Physics
language:en
Short-container-title:Journal of Applied Physics

Author:

Maldonado D.¹^ORCID,Aguirre F.²³⁴^ORCID,González-Cordero G.¹^ORCID,Roldán A. M.¹^ORCID,González M. B.⁵^ORCID,Jiménez-Molinos F.¹^ORCID,Campabadal F.⁵^ORCID,Miranda E.⁴^ORCID,Roldán J. B.¹^ORCID

Affiliation:

1. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores, Universidad de Granada, Facultad de Ciencias, Avd. Fuentenueva s/n, 18071 Granada, Spain

2. Unidad de Investigación y Desarrollo de las Ingenierías (UIDI), Facultad Regional Buenos Aires, Universidad Tecnológica Nacional, Medrano 951 (C1179AAQ), Buenos Aires, Argentina

3. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET), Godoy Cruz 2290 (C1425FQB), Buenos Aires, Argentina

4. Deparment d’Enginyeria Electrònica, Universitat Autònoma de Barcelona, Edifici Q. 08193 Bellaterra, Spain

5. Institut de Microelectrònica de Barcelona, IMB-CNM (CSIC), Carrer dels Til⋅lers, s/n. Campus UAB, 08193 Bellaterra, Spain

Funder

Spanish Ministry of Science and Innovation

Consejeria de conocimiento, investigacion y universidad

University of Granada

Publisher

AIP Publishing

Subject

General Physics and Astronomy

Link