Affiliation:
1. Scientific-Industrial Company “Radiotechnika”
Abstract
The design and the principle of operation of a field effect transistor based on a semiconductor nanowire with a metal gate is presented and described. The subthreshold slope of the device has been estimated and was shown that it may to exceed the thermionic limit (value e/k_B T).
Reference4 articles.
1. Красников Г. Я. Возможности микроэлектронных технологий с топологическими размерами менее 5 нм // Наноиндустрия. 2020. Т. 1, № S5-1 (102). С. 13—19., G. Ya. Krasnikov, “The Capabilities of Microelectronic Processes with 5 nm Critical Dimension and Less,” Nanoindustry, vol. 1, no S5-1 (102), pp. 13–19, 2020 (In Russ.). DOI: https://doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.5s.13.19.
2. Обухов И. А. Моделирование переноса заряда в мезоскопических структурах. Москва — Киев — Минск — Севастополь : «Вебер», 2005. 226 с., I. A. Obukhov, Modeling of Charge Transfer in Mesoscopic Structures, Moscow–Kyiv–Minsk–Sevastopol : Weber Publ. Co., 2005. (In Russ.).
3. Обухов И. А. Многокомпонентная модель переноса заряда в квантовых полупроводниковых приборах // Нано- и микросистемная техника. 2021. Том 23, № 1. С. 24—31., I. A. Obukhov, “Multicomponent Model of Charge Transport in Quantum Semiconductor Devices,” Nano- i mikrosistemnaya tekhnika, vol. 23, no. 1, pp. 24–31, 2021, doi: 10.17587/nmst.23.24-31.
4. Особенности проявления квантового размерного эффекта в явлениях переноса в тонких пленках висмута на подложках из слюды / Е. В. Демидов и др. // Физика и техника полупроводников. 2019. Том 53, вып. 6. С. 736—740., E. V. Demidov et al., “The Quantum Size Effect Specific Features of in the Transport Phenomena in Thin Bismuth Films on Mica Substrates,” Fizika i tekhnika poluprovodnikov, vol. 53, no 6. pp. 736–740, 2019. (In Russ.). DOI: 10.21883/FTP.2019.06.47718.27.