Reliability Issues of SiC Power MOSFETs toward High Junction Temperature Operation
Author:
Publisher
Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA
Reference35 articles.
1. 100 mm 4HN-SiC Wafers with Zero Micropipe Density
2. Comparisons of Design and Yield for Large-Area 10-kV 4H-SiC DMOSFETs
3. Normally-Off 1400V/30A 4H-SiC DACFET and its Application to DC-DC Converter
4. 1200-V, 50-A, Silicon Carbide Vertical Junction Field Effect Transistors for Power Switching Applications
5. High-Temperature Operation of 50 A (1600 A/cm2), 600 V 4H-SiC Vertical-Channel JFETs for High-Power Applications
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