Cubic Silicon Carbide: Growth, Properties, and Electrochemical Applications

Author:

Yang Nianjun1,Jiang Xin1

Affiliation:

1. Institute of Materials Engineering; University of Siegen; Paul-Bonatz-Str. 9-11 57076 Siegen Germany

Publisher

John Wiley & Sons, Ltd

Reference124 articles.

1. Unterfuchungiiber die Flufsfpathaure und deven merkwiirdigften Verbindungen;Berzelius;Ann. Phys.,1824

2. Étude du siliciure de carbone de la météorite de Cañon Diablo;Moissan;C. R. Acad. Sci.,1905

3. Chloride-based CVD growth of silicon carbide for electronic applications;Pedersen;Chem. Rev.,2012

4. A review of silicon carbide development in MEMS applications;Jiang;Int. J. Comput. Mater. Sci. Surf. Eng.,2009

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