Simulation of p-type diffusion in compound semiconductor: the case of beryllium implanted in InGaAs
Author:
Publisher
Wiley
Subject
Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials
Reference26 articles.
1. Optimization of InGaAs/InP MHBT and HBT’s technology: control and modeling of beryllium diffusion phenomena
2. Growth and diffusion of abrupt beryllium‐doped profiles in gallium arsenide by organometallic vapor phase epitaxy
3. Reduction of Be out‐diffusion from heavily doped GaAs:Be layers by pseudomorphic InxGa1−xAs barrier layers
4. Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Growth of Be-Doped InP Using Bismethylcyclopentadienyl-Berylium
5. Be diffusion mechanisms in InGaAs during post‐growth annealing
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