Effect of anion and cation vacancies pairs in conduct of the <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" altimg="si0011.svg"><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mi mathvariant="italic">Ba</mml:mi></mml:mrow><mml:mrow><mml:mfenced open="(" close=")"><mml:mrow><mml:mn>1</mml:mn><mml:mo>−</mml:mo><mml:mn>3</mml:mn><mml:mi>x</mml:mi></mml:mrow></mml:mfenced></mml:mrow></mml:msub><mml:mi mathvariant="italic">Ti</mml:mi><mml:msub><mml:mrow><mml:mi>O</mml:mi></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>3</mml:mn><mml:mrow><mml:mfenced open="(" close=")"><mml:mrow><mml:mn>1</mml:mn><mml:mo>−</mml:mo><mml:mi>x</mml:mi></mml:mrow></mml:mfenced></mml:mrow></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math> and <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" altimg="si0012.svg"><mml:mrow><mml:mi mathvariant="italic">Ba</mml:mi><mml:msub><mml:mrow><mml:mi mathvariant="italic">Ti</mml:mi></mml:mrow><mml:mrow><mml:mo stretchy="false">(</mml:mo><mml:mn>1</mml:mn><mml:mo>−</mml:mo><mml:mfrac><mml:mrow><mml:mn>3</mml:mn><mml:mi>x</mml:mi></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:mfrac><mml:mo stretchy="false">)</mml:mo></mml:mrow></mml:msub><mml:msub><mml:mrow><mml:mi>O</mml:mi></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>3</mml:mn><mml:mo stretchy="false">(</mml:mo><mml:mn>1</mml:mn><mml:mo>−</mml:mo><mml:mi>x</mml:mi><mml:mo stretchy="false">)</mml:mo></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math> (x = 0.0033) as a memristor-Reference-Cited by-同舟云学术

Effect of anion and cation vacancies pairs in conduct of the Ba1−3xTiO31−x and BaTi(1−3x2)O3(1−x) (x = 0.0033) as a memristor

Author:

Ertekin Nilüfer,Rezaee Sasan

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Mechanics of Materials,General Materials Science

Reference42 articles.

2. A ferroelectric memristor;Chanthbouala;Nat. Mater.,2012

Cited by 8 articles. 订阅此论文施引文献订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献