Control of epitaxial defects for optimal AlGaN/GaN HEMT performance and reliability

Author:

Green D.S.,Gibb S.R.,Hosse B.,Vetury R.,Grider D.E.,Smart J.A.

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Inorganic Chemistry,Condensed Matter Physics

Reference9 articles.

1. 30-W/mm GaN HEMTs by Field Plate Optimization

2. K. Joshin, T. Kikkawa, H. Hayashi, T. Maniwa, S. Yokokawa, M. Yokoyama, N. Adachi, M. Takikawa, A 174W high-efficiency GaN HEMT power amplifier for W-CDMA base applications, IEDM 03-983, 2003.

3. Dislocation generation in GaN heteroepitaxy

4. Correlation of device performance and defects in AlGaN/GaN high-electron mobility transistors

5. Influence of AlN nucleation layer temperature on GaN electronic properties grown on SiC

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