Growth studies of Ge-islands for enhanced performance of thin film solar cells
Author:
Publisher
Elsevier BV
Subject
Mechanical Engineering,Mechanics of Materials,Condensed Matter Physics,General Materials Science
Reference14 articles.
1. Dislocation-free Stranski-Krastanow growth of Ge on Si(100)
2. Modeling and optimization of thin-film devices with Si/sub 1-x/Ge/sub x/ alloys
3. An Industrial Single‐Slice Si‐MBE Apparatus
4. Nucleation and growth of self-assembled Ge/Si(001) quantum dots
5. Photoluminescence study of the initial stages of island formation for Ge pyramids/domes and hut clusters on Si(001)
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1. Деформаційні ефекти у кристалах германію діркової провідності;Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine;2023-07-11
2. Electrophysical properties of compensated n-Germanium;Physica B: Condensed Matter;2022-07
3. Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців у багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах;Ukrainian Journal of Physics;2022-02-15
4. Specificity of the electrophysical properties of elastically deformed p-type germanium;Physica B: Condensed Matter;2021-07
5. Influence of gamma irradiation (60Co) on the electrophysical parameters of n-Ge with a different doping level and with oxygen impurity in different states;Journal of Physical Studies;2019
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