Abstract
На монокристалах p-Ge з питомим опором ρ300K ≈ 16 Ом·см одержано при 300 і 77 K польові залежності коефіцієнта Холла за умов || || [100] і || || [111] (магнітне поле спрямоване вздовж напрямку [10], — струм крізь зразок) за різних значень тиску . На зразках обох кристалографічних орієнтацій при 77 K (за відсутності та за наявності тиску) виявлено тонку структуру польових залежностей коефіцієнта Холла, пов’язану з анізотропією зони важких дірок. Виявлено істотне згладжування тонкої структури зі збільшенням тиску. Показано якісно різну поведінку коефіцієнта Холла з тиском у слабких і більш сильних магнітних полях. Одержано залежності питомого опору та поздовжнього магнітоопору з тиском, виміряні за температури рідкого азоту на тих самих зразках двох кристалографічних орієнтацій. Виявлено чітко виражену анізотропію тензоопору і тензо-холл-ефекту як за відсутності, так і за наявності тиску. Встановлено, що основна перебудова деформованої сфери важких дірок вихідного кристала в еліпсоїди відбувається (у зразках обох орієнтацій) в інтервалі X ≤ 0,6÷0,7 ГПа, а в разі подальшого збільшення тиску параметри еліпсоїдів, що утворилися, змінюються відносно слабко. Виявлено у зразках обох кристалографічних орієнтацій відмінність від нуля поздовжнього магнітоопору , а також різко виражену його анізотропію, яка не зникає до найбільших тисків, досягнутих в експерименті. Показано тенденцію до зростання поздовжнього магнітоопору зі збільшенням тиску за умов || || [100] і 77 K.
Publisher
National Academy of Sciences of Ukraine (Co. LTD Ukrinformnauka) (Publications)
Reference15 articles.
1. Baranskii, P. I., Belyaev, A. E. & Gaidar, G. P. (2019). Kinetic effects in multi-valley semiconductors. Kyiv: Naukova Dumka (in Ukrainian).
2. Claeys, C. & Simoen, E. (2007). Germanium-based technologies: From materials to devices. 1 ed. Elsevier Science Publishing Company.
3. Oksanych, A. P. & Malovanyi, V. V. (2013). Development of technique and device for research of optical quality of germanium single crystal. Visnyk Kremenchutskoho natsionalnoho universytetu imeni Mykhaila Ostrohradskoho, No. 1(78), pp. 18-22 (in Ukrainian). http://www.kdu.edu.ua/statti/2013-1(78)/18.pdf
4. Chen, J., Zhang, X., Luo, Z., Wang, J. & Piao, H.-G. (2014). Large positive magnetoresistance in germanium. J. Appl. Phys., 116, No. 11, pp. 114511. https://doi.org/10.1063/1.4896173
5. Volodin, V. A., Kamaev, G. N., Gritsenko, V. A., Gismatulin, A. A., Chin, A. & Vergnat, M. (2019). Memristor ef-fect in GeO[SiO2] and GeO[SiO] solid alloys films. Appl. Phys. Lett., 114, No. 23, pp. 233104. https://doi.org/10.1063/1.5079690