Analytical modeling of InSb/AlInSb heterostructure dual gate high electron mobility transistors

Author:

Venish Kumar T.,Balamurugan N.B.

Publisher

Elsevier BV

Subject

Electrical and Electronic Engineering

Reference32 articles.

1. MOSFET scaling-the driver of VLSI technology;Critchlow;Proc IEEE,1999

2. Controlling short-channel effects in deep-submicron SOI MOSFETs for improved reliability: a review;Chaudhry;IEEE Trans Dev Mater Reliab,2004

3. Process variation study of ground plane SOI MOSFET;Saremi;2nd Asia Symp Qual Electron Des,2010

4. Systematic design of hybrid high power microwave amplifiers using large gate periphery GaN HEMTs AEUE;Forouzanfar;Int J Elect Comm,2017

5. Low voltage, low power VLSI subsystems;Roy,2004

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