2D Mapping of Chemical and Field Effect Passivation of Al2O3 on Silicon Substrates

Author:

Jordan Paul M.,Simon Daniel K.,Fengler Franz P.G.,Mikolajick Thomas,Dirnstorfer Ingo

Publisher

Elsevier BV

Reference21 articles.

1. Status and prospects of Al2O3-based surface passivation schemes for silicon solar cells;Dingemans;J Vac Sci Technol A 30(4); p. 040802,2012

2. Impact of illumination level and oxide parameters on Shockley–Read–Hall recombination at the Si-SiO2 interface;Aberle;J Appl Phys71(9); p.,1992

3. Field-effect passivation of the SiO2-Si interface;Glunz;J Appl Phys 86(1); p.,1999

4. MOS Conductance Technique for Measuring Surface State Parameters;Nicollian;Appl Phys Lett 7(8); p.,1965

5. Physics of semiconductor devices Hoboken;Sze;N.J.: Wiley-Interscience,2007

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