A temperature dependent drain current model of P+ SiC GAA JLFETs for enhanced analog/RF performance
Author:
Publisher
Elsevier BV
Reference37 articles.
1. Comparison of junctionless and conventional trigate transistors with Lg down to 26 nm;Rios;IEEE Electron. Device Lett.,2011
2. SiGe/Si hetero nanotube JLFET for improved performance: proposal and investigation;Thakur;Electron. Lett.,2019
3. Diameter dependency of leakage current in nanowire junctionless field effect transistors;Sahay;IEEE Trans. Electron. Dev.,2017
4. “Temperature Assessment of Si1-xGex Source/Drain Heterojunction NT JLFET for Gate Induced Drain Leakage – A Compact Model,” Superlattices and Microstructures;Thakur,2021
5. Realizing a planar 4H-SiC junctionless FET for sub-10-nm regime using P+ pocket;Singh;IEEE Trans. Electron. Dev.,2019
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