Investigation and optimization of AlN nucleation layers grown on 4H-SiC by MOCVD
Author:
Publisher
Elsevier BV
Subject
General Medicine
Reference15 articles.
1. Poblenz, P. Waltereit, S. Rajan, U. K. Mishra, J. S. Speck, P. Chin, I. Smorchkova, and B. Heying, J. vac. Sci. & technol. B. 23 (2005)1562
2. Impact of the substrate and of the nucleation layer on the properties of AlGaN/GaN HEMTs on SiC
3. Influence of AlN nucleation layer on the epitaxy of GaN/AlGaN high electron mobility transistor structure and wafer curvature
4. Low thermal resistance of a GaN-on-SiC transistor structure with improved structural properties at the interface
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1. Ultrathin GaN film and AlGaN/GaN heterostructure grown on thick AlN buffer by MOCVD;Ceramics International;2022-12
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