A Compact 120 GHz LNA in 22 nm FD-SOI with Back-Gate Controllable Variable-Gain
Author:
Affiliation:
1. Université catholique de Louvain,Belgium
2. Center Nanoelectronic Technologies, Fraunhofer IPMS,Germany
Funder
Innoviris
Publisher
IEEE
Link
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10288583/10288635/10288898.pdf?arnumber=10288898
Reference10 articles.
1. Design of a Low Voltage D-band LNA in 22 nm FDSOI
2. A 140 GHz T/R Front-End Module in 22 nm FD-SOI CMOS
3. A D-band Variable-Gain LNA with Triple-inductive Coupling Gm-boosting
4. 22-nm FDSOI CMOS Noise Modeling and Analysis in mm-Wave Frequency Range
5. A 22nm FDSOI Technology Optimized for RF/mmWave Applications
Cited by 2 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献
1. Enhanced Accuracy in On-Wafer Noise Figure Measurements at Sub-Terahertz Frequencies;2024 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium - IMS 2024;2024-06-16
2. Realizing Joint Communication and Sensing RF Receiver Front-Ends: A Survey;IEEE Access;2024
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