Heteroepitaxial growth of indium phosphide on silicon by MOCVD using adduct source
Author:
Publisher
Informa UK Limited
Subject
General Engineering
Link
http://www.tandfonline.com/doi/pdf/10.1080/02533839.1988.9677069
Reference8 articles.
1. Growth of Single Domain GaAs Layer on (100)-Oriented Si Substrate by MOCVD
2. Microwave power amplification with InP f.e.t.s
3. Influence of interfacial structure on the electronic properties of SiO2/InP MISFET’s
4. Growth of GaxIn1 −xAs and GaxIn1 −xAsyP1 −y using preformed adducts
5. The effect of elastic strain on energy band gap and lattice parameter in III‐V compounds
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