1. R. H. Burton, R. A. Gottscho, and G. Smolinsky,Dry Etching for Microelectronics, R. A. Powell, ed., Elsevier, New York (1984); D. L. Flamm and V. M. Donnelly,Plasma Chem. Plasma Process.1, 317 (1981); G. Smolinsky, R. P. H. Chang, and T. M. Mayer,J. Vac. Sci. Technol. 18, 12 (1981); R. A. Barker, T. M. Mayer, and R. H. Burton,Appl. Phys. Lett. 40, 583 (1982); E. L. Hu and R. E. Howard. Appl. Phys. Lett. 37, 1022 (1980); D. E. Ibbotson, D. L. Flamm, and V. M. Donnelly,J. Appl. Phys. 54, 5974 (1983); D. E. Ibbotson and D. L. Flamm,Solid State Technol. 31(10), 77 (1988); ibid. 31(11), 105 (1988). V. M. Donnelly, D. L. Flamm, and D. E. Ibbotson,J. Vac. Sci. Technol. A 2. 626 (1983).
2. S. Tachi, K. Tsujimoto, and S. Okudaira,Appl. Phys. Lett. 52, 616 (1988); S. Tachi, K. Tsujimoto, S. Arai, and T. Kure,J. Vac. Sci. Technol. A 9, 796 (1991 ): S. Tachi, K. Tsujimoto, S. Arai, H. Kawakami, and S. Okudaira, 20th Conference on Solid State Devices and Materials, Tokyo, 1988, p. 553.
3. P. Van Daele, D. Lootens, and P. Demeester,Vacuum 41, 906 (1990).
4. V. M. Donnelly, D. L. Flamm, C. W. Tu, and D. E. Ibbotson,J. Electrochem. Soc. 129, 2533 (1982); S. J. Pearton and W. S. Hobson,J. Appl. Phys. 66, 5018 (1989); S. J. Pearton, A. B. Emerson, U. K. Chakrabarti, E. Lane, K. S. Jones, K. T. Short, A. E. While, and T. R. Fullowan,J. Appl. Phys. 66, 3839 (1989).
5. R. A. Gottscho, G. Smolinsky, and R. H. Burton,J. Appl. Phys. 53, 5908 (1982).