Improvement of transconductance and cut-off frequency in $$\hbox {In}_{0.1}\hbox {Ga}_{0.9}\hbox {N}$$ back-barrier-based double-channel Al$$_{0.3}$$Ga$$_{0.7}$$N / GaN high electron mobility transistor by enhancing the drain source contact length ratio

Author:

Mohapatra Rachita,Dutta PradiptaORCID

Publisher

Springer Science and Business Media LLC

Subject

General Physics and Astronomy

Reference29 articles.

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