Influence of HfAlOx in DC, RF and Microwave Noise Performance of Dual-Channel Single-Gate InAs MOSHEMT

Author:

Poornachandran R.ORCID,Mohankumar N.,Saravana Kumar R.,Sujatha G.,Girish Shankar M.

Publisher

Springer Science and Business Media LLC

Subject

Materials Chemistry,Electrical and Electronic Engineering,Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials

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1. CV Analysis and Linearity Performance of InGaN Notch Dielectric Modulated Dual Channel GaN MOSHEMT for Reliable Label-free Biosensing;2022 IEEE International Conference of Electron Devices Society Kolkata Chapter (EDKCON);2022-11-26

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