Schaltungsüberprüfung eines 4 Mb DRAM mit einem Submikron-Elektronenstrahl-Meßgerät

Author:

Fox F.,Kölzer J.,Otto J.,Plies E.

Publisher

Springer Science and Business Media LLC

Subject

General Engineering,Applied Mathematics,Electrical and Electronic Engineering

Reference34 articles.

1. Pribyl, W.; Harter, J.; Müller, W.: A 4 megabit dynamic RAM in submicron CMOS technology with a FOBIC trench Cell. Siemens Forsch. Entwicklungsber. 16 (1987) 253

2. Menzel, E.; Kubalek, E.: Fundamentals of electron beam testing of integrated Circuits. Scanning 5 (1983) 103

3. Argyo, W.; Brust, H.-D.; Fox, F.; Otto, J.; Plies, E.; Wolfgang, E.: Analyse elektrischer Funktionen im Inneren von integrierten Schaltungen mit der Elektronensonde. Siemens Forsch. Entwicklungsber. 14 (1985) 216

4. Ura, K.: Electron beam testing in electronics. Proc. XIth Int. Congr. Electron Microscopy. Kyoto, Japan, 1986, p. 173

5. Wolfgang, E.: Electron beam testing. Microelectron. Eng. 4 (1986) 77

Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献,注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献,订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Chip verification of 4 Mbit DRAMs by E-Beam testing;Microelectronic Engineering;1990-05

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