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Depth profiles and concentration percentages of SiO2 and SiO x induced by ion bombardment of a silicon (100) target

  • Published:2008-04-25 Issue:8-9 Volume:19 Page:898-901
  • ISSN:0957-4522
  • Container-title:Journal of Materials Science: Materials in Electronics
  • language:en
  • Short-container-title:J Mater Sci: Mater Electron

Author:

Lee Chin Shuang,Chen Chia Chan,Hsu Chin Shun,Lee Shyong,Hsu Ron-Kai

Publisher

Springer Science and Business Media LLC

Subject

Electrical and Electronic Engineering,Condensed Matter Physics,Atomic and Molecular Physics, and Optics,Electronic, Optical and Magnetic Materials
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