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Tang, Chak Wah
中国香港科技大学计算机工程学系

学者ID：GAID10192680 ORCID：0000-0003-3135-2773 学者链接同名学者

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1 GaN quasi-vertical trench MOSFETs grown on Si substrate with ON-current exceeding 1 A

来源：APPL PHYS EXPRESS( P 1882-0778 E 1882-0786 ) 发表时间: 2022/12

类型：期刊论文为本人加分

2 Vertical GaN trench MOSFETs with step-graded channel doping

来源：APPL PHYS LETT( P 0003-6951 E 1077-3118 ) 发表时间: 2022/06

类型：期刊论文为本人加分

3 Enhancing ON- and OFF-State Performance of Quasi-Vertical GaN Trench MOSFETs on Sapphire With Reduce..

来源：IEEE ELECTR DEVICE L( P 0741-3106 E 1558-0563 ) 发表时间: 2022/03

类型：期刊论文为本人加分

4 Effects of p-GaN Body Doping Concentration on the ON-State Performance of Vertical GaN Trench MOSFET..

来源：IEEE ELECTR DEVICE L( P 0741-3106 E 1558-0563 ) 发表时间: 2021/07

类型：期刊论文为本人加分

5 Monolithic full-color microdisplay using patterned quantum dot photoresist on dual-wavelength LED ep..

来源：J SOC INF DISPLAY( P 1071-0922 E 1938-3657 ) 发表时间: 2021/03

类型：期刊论文为本人加分

6 Thin-barrier heterostructures enabled normally-OFF GaN high electron mobility transistors

来源：SEMICOND SCI TECH( P 0268-1242 E 1361-6641 ) 发表时间: 2021/03

类型：期刊论文为本人加分

7 Active matrix monolithic micro-LED full-color micro-display

来源：J SOC INF DISPLAY( P 1071-0922 E 1938-3657 ) 发表时间: 2021/01

类型：期刊论文为本人加分

8 InGaN quantum dots with short exciton lifetimes grown on polar c-plane by metal-organic chemical vap..

来源：MATER RES EXPRESS( P E 2053-1591 ) 发表时间: 2020/11

类型：期刊论文为本人加分

9 Selective lateral photoelectrochemical wet etching of InGaN nanorods

来源：J VAC SCI TECHNOL B( P 2166-2746 E 2166-2754 ) 发表时间: 2020/11

类型：期刊论文为本人加分

10 Forward Conduction Instability of Quasi-Vertical GaN p-i-n Diodes on Si Substrates

来源：IEEE T ELECTRON DEV( P 0018-9383 E 1557-9646 ) 发表时间: 2020/10

类型：期刊论文为本人加分

1 Enhancement-Mode GaN MOS-HEMTs With Recess-Free Barrier Engineering and High-k ZrO2 Gate Dielectric

来源：IEEE ELECTR DEVICE L( P 0741-3106 E 1558-0563 ) 发表时间: 2018/03

类型：期刊论文为本人加分：1328.324000

2 Metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on GaAs substrates by MOCVD

来源：IEEE ELECTR DEVICE L( P 0741-3106 E ) 发表时间: 2008/06

类型：期刊论文为本人加分：878.324000

3 Fully Vertical GaN p-i-n Diodes Using GaN-on-Si Epilayers

来源：IEEE ELECTR DEVICE L( P 0741-3106 E 1558-0563 ) 发表时间: 2016/05

类型：期刊论文为本人加分：865.276416

4 Monolithic LED Microdisplay on Active Matrix Substrate Using Flip-Chip Technology

来源：IEEE J SEL TOP QUANT( P 1077-260X E 1558-4542 ) 发表时间: 2009/07

类型：期刊论文为本人加分：857.867211

5 Investigation of In Situ SiN as Gate Dielectric and Surface Passivation for GaN MISHEMTs

来源：IEEE T ELECTRON DEV( P 0018-9383 E 1557-9646 ) 发表时间: 2017/03

类型：期刊论文为本人加分：700.690232

6 Growth of ultra-high mobility In0.52Al0.48As/InxGa1-xAs (x >= 53%) quantum wells on Si substrates..

来源：APPL PHYS EXPRESS( P 1882-0778 E 1882-0786 ) 发表时间: 2014/04

类型：期刊论文为本人加分：662.322795

7 Active Matrix Monolithic LED Micro-Display Using GaN-on-Si Epilayers

来源：IEEE PHOTONIC TECH L( P 1041-1135 E 1941-0174 ) 发表时间: 2019/06

类型：期刊论文为本人加分：617.470248

8 Low-efficiency-droop InGaN quantum dot light-emitting diodes operating in the "green gap"

来源：PHOTONICS RES( P 2327-9125 E ) 发表时间: 2020/05

类型：期刊论文为本人加分：512.154892

9 High-Performance Inverted In0.53Ga0.47As MOSHEMTs on a GaAs Substrate With Regrown Source/Drain by M..

来源：IEEE ELECTR DEVICE L( P 0741-3106 E 1558-0563 ) 发表时间: 2012/09

类型：期刊论文为本人加分：447.945240

10 InP Layer Transfer with Masked Implantation

来源：ELECTROCHEM SOLID ST( P 1099-0062 E ) 发表时间: 2009/01

类型：期刊论文为本人加分：426.432534

Biography

Chak Wah Tang received the M.S. degree in electrical engineering from National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan, in 1996.,He is currently with The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong. His current research interests include materials epitaxial growth by metal-organic chemical vapor deposition.

序号	名称

序号	名称		合作论文
1	刘纪美	------------	合作论文：55篇
2	Li, Qiang	------------	合作论文：11篇
3	Jiang, Huaxing	------------	合作论文：10篇
4	Zou, Xinbo	------------	合作论文：9篇
5	Li, Haiou	------------	合作论文：9篇
6	Zhang, Xu	------------	合作论文：8篇
7	Zhou, Xiuju	------------	合作论文：6篇
8	Zhao, Chunyu	------------	合作论文：5篇
9	Zhu, Renqiang	------------	合作论文：5篇
10	王建农	------------	合作论文：5篇
11	卢星	------------	合作论文：4篇
12	Zhong, Zhenyu	------------	合作论文：3篇
13	Li, Yangfeng	------------	合作论文：3篇
14	Liu, Chao	------------	合作论文：3篇
15	Li, Peian	------------	合作论文：3篇
16	Ren, Jie	------------	合作论文：3篇
17	Sin, Johnny K. O.	------------	合作论文：3篇
18	Li Ming	------------	合作论文：2篇
19	Chong, Wing Cheung	------------	合作论文：2篇
20	Wan, Yating	------------	合作论文：2篇

序号	名称		论文数量
1	工学	------------	论文：20篇
2	理学	------------	论文：13篇
3	物理学	------------	论文：13篇
4	材料科学与工程	------------	论文：2篇

序号	名称		论文数量
1	IEEE ELECTR DEVICE L	------------	论文：14篇
2	IEEE T ELECTRON DEV	------------	论文：6篇
3	APPL PHYS LETT	------------	论文：5篇
4	APPL PHYS EXPRESS	------------	论文：3篇
5	PHYS STATUS SOLIDI A	------------	论文：3篇
6	IEEE PHOTONIC TECH L	------------	论文：2篇
7	J SOC INF DISPLAY	------------	论文：2篇
8	CHINESE PHYS B	------------	论文：2篇
9	MATER RES EXPRESS	------------	论文：2篇
10	SEMICOND SCI TECH	------------	论文：2篇
11	CONF P INDIUM PHOSPH	------------	论文：2篇
12	SCI CHINA PHYS MECH	------------	论文：2篇
13	J CRYST GROWTH	------------	论文：2篇
14	PHOTONICS RES	------------	论文：1篇
15	ECS TRANSACTIONS	------------	论文：1篇
16	IEEE J SEL TOP QUANT	------------	论文：1篇
17	J VAC SCI TECHNOL B	------------	论文：1篇
18	SOLID STATE ELECTRON	------------	论文：1篇
19	ACS APPL ELECTRON MA	------------	论文：1篇
20	INT EL DEVICES MEET	------------	论文：1篇
21	ELECTROCHEM SOLID ST	------------	论文：1篇
22	PROC INT SYMP POWER	------------	论文：1篇
23	J ELECTRON MATER	------------	论文：1篇
24	COMP SEMICOND INTEGR	------------	论文：1篇

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