1. 1) 山本秀和：“ワイドギャップ半導体パワーデバイス，”コロナ社，2015
2. 2) 山本秀和：“パワーデバイス，”コロナ社，2012
3. 3) 田島道夫，干川圭吾，宝来正隆，鹿島一日兒，山本秀和，沓掛健太朗：“シリコン結晶 その現状と将来展望，”応用物理，Vol. 84, No. 5, p. 444, 2014
4. 4) 湊 忠玄，高野和豊，清井 明：“Siパワーデバイスの電子線照射によるキャリア・ライフタイム制御時の不純物の影響，”パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体材料に関する研究会（第4回），p. 77, 2015
5. 5) 土田秀一，星乃紀博，鎌田功穂，徳田雄一郎，神田貴裕，牧野英美，杉山尚宏，久野裕也，小島 淳：“ガス法による高速4H-SiC結晶成長，”パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体材料に関する研究会（第5回），p. 111, 2017