1. 1) M. Higashiwaki, K. Sasaki, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, A. Kuramata, T. Masui and S. Yamakoshi, Semicond. Sci. Tech., 31, 034001 (2016).
2. 2) S. J. Pearton, J. Yang, P. H. Cary, F. Ren, J. Kim, M. J. Tadjer and M. A. Mastro, Appl. Phys. Rev., 5, 011301 (2018).
3. 3) M. Passlack, E. F. Schubert, W. S. Hobson, M. Hong, N. Moriya, S. N. G. Chu, K. Konstadinidis, J. P. Mannaerts, M. L. Schnoes and G. J. Zydzik, J. Appl. Phys., 77, 686–693 (1995).
4. 4) M. Orita, H. Ohta, M. Hirano and H. Hosono, Appl. Phys. Lett., 77, 4166–4168 (2000).
5. 5) M. Rebien, W. Henrion, M. Hong, J. P. Mannaerts and M. Fleischer, Appl. Phys. Lett., 81, 250–252 (2002).