100 A Vertical GaN Trench MOSFETs with a Current Distribution Layer
Author:
Publisher
IEEE
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http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/8746072/8757559/08757621.pdf?arnumber=8757621
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1. Over 1 A Operation of Vertical-Type Diamond MOSFETs;IEEE Electron Device Letters;2024-09
2. Vertical GaN Trench‐MOSFETs Fabricated on Ammonothermally Grown Bulk GaN Substrates;physica status solidi (a);2024-06-02
3. Post-trench restoration for vertical GaN power devices;Applied Physics Letters;2024-02-26
4. Investigation of atomic layer deposition methods of Al2O3 on n-GaN;Journal of Applied Physics;2024-02-22
5. Demonstration of recycling process for GaN substrates using laser slicing technique towards cost reduction of GaN vertical power MOSFETs;Applied Physics Express;2024-02-01
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