Enhanced LVTSCR with High Holding Voltage in Advanced CMOS technology
Author:
Publisher
IEEE
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http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/8746071/8753821/08754362.pdf?arnumber=8754362
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1. A Novel DTSCR Structure with High Holding Voltage and Enhanced Current Discharge Capability for 28 nm CMOS Technology ESD Protection;Micromachines;2023-12-31
2. MOSs-String-Triggered Silicon-Controlled Rectifier (MTSCR) ESD Protection Device for 1.8 V Application;Micromachines;2023-03-10
3. Ultra-Low-Voltage-Triggered Silicon Controlled Rectifier ESD Protection Device for 2.5 V Nano Integrated Circuit;Nanomaterials;2022-11-29
4. RC-Coupled SCR devices for advanced nanoscale COMS process;2022 IEEE 16th International Conference on Solid-State & Integrated Circuit Technology (ICSICT);2022-10-25
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